+7 (495) 543-50-26
круглосуточно
г. Москва, ул. Маросейка, 3/13 Другие города
Профессиональное восстановление данных

Ученые изучают уникальные свойства мемристора

19.05.2011

Ученые впервые детально исследовали, на наноуровне, свойства мемристора (от memory и resistor) – устройства, способного в корне переменить развитие электроники.

Мемристор представляет из себя очень простую структуру: между двумя металлическими электродами находятся две пленки, толщиной в несколько нанометров, изготовленные из диоксида титана. Его необычность — способность «запоминать» электрический заряд — практически, вести себя как кластер памяти.

Свойство мемристоров запоминать заряд делают их схожими с синапсами (соединениями нейронов с иными нейронами и клетками, обеспечивающие передачу информации), предрасположенность которых к проведению электрических импульсов во многом зависит от импульсов, которые прошли через них в недавнем времени.

Раньше изучены были только электрические свойства мемристоров, но процессы, происходящие на микроскопических и наноуровнях — связанные с прохождением электрического импульса, со свойством временно менять сопротивление и структуру материала, оставались для ученых секретом. Теперь же ученые Калифорнийского университета и компании Hewlett Packard проанализировали, как эти простые устройства, имитирующие свойства нейронов человеческого мозга, смогут работать в компьютере.

При помощи рентгеновских лучей они исследовали, как сквозь мемристоры проходит электрический ток и как они скапливают тепло. К примеру, они обнаружили, что при прохождении электрического импульса по 100-нанометровому каналу изнутри устройства и связанное с этим выделение тепла, приводит к изменению структуры диоксида титана. В результате чего, временно повышается электрическое сопротивление, причем вплоть до потери проводящих свойств материалом. Полученные данные позволят создать ученым математическую модель, которая послужит базой, для дальнейших исследований свойств мемристоров.

«В отсутствии этой ключевой информации нам оставалось только строить догадки и продолжать работу над элементом в режиме случайного результата, – прокомментировал значение данного исследования доктор Стэн Уильямс (Stan Williams), представитель компании Hewlett Packard. – Теперь мы узнали, что можно сконструировать мемристоры, которые смогут использоваться как многоуровневое хранилище, тогда мы можем сохранять более четырех бит, а не один».


Современные технологии позволяют выполнить восстановление данных с карты памяти почти всегда, когда сильно не повреждены сами NAND микросхемы. Требуется восстановление данных с flash? Никаких вопросов! Наши специалисты выполнят любые работы, связанные с ремонтом и возвратом данных с поврежденных носителей!