Промышленный концерн Samsung Electronics выпустил микросхемы памяти (DDR4) с 20-нм технологической нормой. Double Data Rate память характеризуется увеличенной в два раза скоростью передачи данных и используется в качестве ОЗУ. DDR4 разработан специально для строительства инновационных дата-центров.
Основываясь на новых микросхемах памяти, разработаны модули память SDRAM на 16 и 32 ГБ, что значительно превышает в емкости современные модули память на основе 30-нм техпроцесса (8 ГБ). Новинка является более энергосберегающей (на 30%), по сравнению с DDR3. Скорость передачи данных больше чем в 1,25 раза (2667 Мбит/с) по сравнению с DDR третьего поколения.
Стоит обратить внимание, в третьем квартале 2013 года, это уже вторая новинка памяти нового типа от Samsung Electronics. Ранее упоминались флэш-памяти NAND на 16 ГБ с технологией размещения ячеек в объемной структуре.
Если Вы хотите сделать ремонт жесткого диска Саранск, но реально нужна хранящаяся на HDD информация, тогда лучше не раздумывая довериться реальным инженерам. Это же относится к восстановлению данных с флешки Владикавказ, районные умельцы без большого опыта работы могут повредить устройство и файлы вернуть уже не получится.