Объединив усилия в области разработки флэш-памяти, корпорации Toshiba и SanDisk осваивают всё более совершенные технологии. Для внедрения и производства новейшей NAND-памяти, выполненной по 19 нм технологии, выбрана недавно построенная фабрика Fab 5, на которой уже начато производство чипов по 24 нм технологическому процессу (на подложках 300 мм).
Новые чипы (19 нм технология) будут иметь объём 8 ГБ для записи информации и выполнены по схеме Х2 (2-bit-per-cell) – хранение 2-х бит данных в одной ячейке. В перспективе Toshiba планирует изготавливать микросхемы и по схеме Х3 (3-bit-per-cell) – хранение 3-х бит данных в ячейке. Серийный выпуск чипов по технологии 19 нм Toshiba и SanDisk обещают уже в конце нынешнего года.
Аналогичные шаги по уменьшению размеров ячеек NAND-памяти предпринимаются компаниями Intel и Micron на созданном ими предприятии IM Flash Technologies, которое производит микросхемы по 25 нм технологии. К зиме 2011 года здесь будут изготавливаться микросхемы по 20 нм технологическому процессу объёмом 8 ГБ с площадью кристалла около 118 мм², что позволит успешно противостоять конкурентам.
Уменьшение размера ячеек NAND-памяти, как заявляют специалисты, не только увеличит объём данных на единицу площади, но и существенно сократит потребление энергии микросхемами памяти. При этом число циклов перезаписи, а значит и надёжности изделий, нисколько не уменьшится.
Новые изделия, призванные оптимизировать процесс хранения и переноса информации, задают новое направление в работе сервисных центров, призванных выполнять восстановление USB флешки и других накопителей. Однако, следует отметить, что восстановление Flash Drive — довольно сложная задача для непрофессионала или дилетанта, который не имеет необходимых знаний и опыта.