Корпорация Samsung Electronics запустила в промышленное производство флеш-память 3D V-NAND (с размещением ячеек в объемной структуре) емкостью 16 ГБ. По подсчетам данная технология дает возможность увеличить емкость в восемь крат. С помощью данной технологии решилась проблема интерференции ячеек памяти, что позволяет значительно поднять уровень надежности хранения данных (в 2-10 раз) в сравнении с 10-нм NAND. А скорость записи превышает вдвое.
В новой флеш-памяти ячейки размещены в трех измерениях по отношению одна к другой. По вертикали ячейки соединяются специальными проводниками. В одной микросхеме может находиться до 24 слоев ячеек, соединенными проводниками, притом в некоторых слоях проводник может быть изолирован при прохождении.
Новую 3D V-NAND память могут использовать как в пользовательских устройствах, так и в промышленности. Samsung Electronics планирует выпустить ряд продукции с технологией 3D V-NAND. По мнениям представителей Samsung в обиход память войдет в конце этого десятилетия.
Если Вы в поиске, где осуществить ремонт жесткого диска Якутск, но в действительности важна содержащаяся на HDD информация, тогда необходимо сразу довериться настоящим специалистам. Это же относится к восстановлению данных с флешки Йошкар-Ола, районные умельцы без необходимого опыта часто вредят устройству и файлы вернуть уже будет нельзя.