В результате работы международной команды исследователей была создана молекулярная память, функционирование которой возможно при комнатной температуре. С открытием данной экспериментальной технологии появилась возможность создания устройств, превышающих традиционные жесткие диски по плотности хранения данных в 1000 раз.
Само название — молекулярной памяти говорит о том, что данные хранятся в размещенных между ферромагнитными электродами молекулах. Благодаря тому, что данная технология позволяет хранить на крохотном носителе большие объемы данных, она обладает огромным потенциалом. Но до сегодняшнего дня с изготовлением молекулярной памяти возникали определенные трудности, в особенности, необходимость нулевой температуры для работы.
Совместными усилиями ученые Индийского научно-образовательного института Калькутты и Массачусетского технологического института сумели разработать молекулярную память нового типа, которую гораздо проще изготовит и работает она при температуре, близкой к 0°C, что условно считается комнатной температурой в ученых кругах. Это является экономически очень выгодным с той точки зрения, что для охлаждения сервера не нужно устанавливать целые криогенные системы, а достаточно будет использовать, к примеру, обычный холодильник.
Помимо этого, производство такой памяти становится намного проще благодаря тому, что в схему входит только один ферромагнитный электрод. А структура из плоских листов углеродных атомов, присоединенных к атомам цинка, устанавливается с очень высокой точностью, в связи с чем обеспечивается высокая надежность работы молекулярной памяти.
Стандартная магнитная память содержит в себе два ферромагнитных электрода, при резком изменении магнитной ориентации которых, проводимость устройства резко повышается. Проводя исследование, ученые обнаружили, что в данной конструкции существуют два скачка проводимости, а не один.
Новое открытие значительно упрощает технологию молекулярной памяти и повышает ее надежность, посредством использования в схеме всего одного электрода. Кроме того, прикрепленные к углеродным пластинам атомы цинка способны самовыравниваться и это упрощает производство молекулярной памяти с необходимыми свойствами.
Изменение проводимость на 20%, которого пока удалось добиться, является недостаточным показателем для коммерческого применения технологии новой молекулярной памяти. Но ученые ведут активную работу по подбору необходимых органических соединений, способных увеличить колебания проводимости.
Если есть потребность сделать ремонт жесткого диска Великий Новгород, но в действительности требуется хранящаяся на HDD информация, тогда лучше не теряя времени довериться реальным инженерам. То же самое касается восстановления данных с флешки Тверь, областные самоучки без необходимого опыта работы часто вредят устройству и информацию восстановить уже не получится.